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      SEMIKRON西門(mén)康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6系列產(chǎn)品資料

      更新時(shí)間:2024-07-02      點(diǎn)擊次數(shù):320

      SEMIKRON西門(mén)康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6系列產(chǎn)品資料

      SEMIKRON西門(mén)康IGBT模塊SEMIX604GB12T4PV6原廠(chǎng)

      上海譜閔工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備有限公司專(zhuān)業(yè)歐美進(jìn)口備件銷(xiāo)售,公司德國(guó)和美國(guó)有自己的辦事處,*直接采購(gòu),一手貨源,價(jià)格在市場(chǎng)上更具優(yōu)勢(shì)。

      SEMIKRON西門(mén)康IGBT模塊的原理:

      IGBT的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,但其工作原理卻比較簡(jiǎn)單。IGBT由PNP型雙極晶體管和N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET組成,并在兩者之間加入了隔離層,以實(shí)現(xiàn)雙極晶體管和MOSFET的有機(jī)結(jié)合。IGBT的主要工作原理如下:

      當(dāng)IGBT的柵極施加正向電壓時(shí),會(huì)形成一個(gè)N型導(dǎo)通區(qū),從而允許集電極和發(fā)射極之間的電流通過(guò)。

      反之,當(dāng)柵極施加反向電壓時(shí),則不允許電流通過(guò)。

      IGBT相當(dāng)于一個(gè)由MOsFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)GTR,其等效電路及圖形符號(hào)如圖2.17所示。可見(jiàn),IGBT是以MOsFET為驅(qū)動(dòng)元件,GTR為主導(dǎo)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)器件。圖中的電阻RN是厚基區(qū)GTR內(nèi)的調(diào)制電阻,Rs是體區(qū)電阻。圖中器件的MOsFET為N溝道型,稱(chēng)為N溝道IGBT。相應(yīng)的還有P溝道IGBT,其圖形符號(hào)僅將箭頭反向即可。

      IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與電力MOsFET基本相同,它是一種場(chǎng)控器件。其開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓%E控制的,當(dāng)已憶E為正且大于開(kāi)啟電壓聽(tīng)時(shí),MOsFET內(nèi)形成導(dǎo)電溝道,其漏源電流作為內(nèi)部GTR的基極電流,從而使IGBT導(dǎo)通。此時(shí)從/注入M區(qū)的空穴對(duì)N^區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小了M區(qū)的電阻RN,使IGBT獲得低導(dǎo)通壓降。當(dāng)柵極與發(fā)射極間不加信號(hào)或施加反向電壓時(shí),MOSFET內(nèi)的導(dǎo)電溝道消失,GTR的基極電流被切斷,IGBT隨即關(guān)斷。

      在IGBT的工作過(guò)程中,當(dāng)控制信號(hào)施加到柵極時(shí),將會(huì)引起PNP晶體管的導(dǎo)通。在這種情況下,集電極和發(fā)射極之間的電流可通過(guò),在控制信號(hào)撤回后,IGBT會(huì)自動(dòng)關(guān)閉,此時(shí)不會(huì)通過(guò)任何電流。

      SEMIKRON西門(mén)康IGBT模塊的特點(diǎn):

      IGBT的作用和功能

      IGBT擁有多種特性,其主要作用和功能如下:

      (1) 控制電流

      IGBT具有單向?qū)ㄌ匦裕煽刂齐娐返拈_(kāi)關(guān)狀態(tài)。當(dāng)IGBT的柵極施加正向電壓時(shí),允許電流通過(guò);反之,則不允許電流通過(guò)。這使得IGBT可以很好地控制電流大小和方向。

      (2) 降低功率損耗

      由于IGBT的導(dǎo)通電阻比雙極晶體管低,開(kāi)關(guān)速度又比MOSFET快,因此,IGBT具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這使得IGBT成為高效、低損耗的功率半導(dǎo)體器件。

      (3) 承載大電流

      IGBT的承載電流能力較強(qiáng),可達(dá)300A以上。同時(shí),IGBT具有良好的熱穩(wěn)定性和抗擊穿能力,可以在高溫和高電壓環(huán)境下工作,保證設(shè)備的安全運(yùn)行。

      (4) 廣泛應(yīng)用

      IGBT廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,如變頻器、交流調(diào)速電機(jī)、UPS電源等。其穩(wěn)定性和高效性的特點(diǎn)被廣泛認(rèn)可,并得到了市場(chǎng)的追捧。

      IGBT是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有控制電流、降低功率損耗、承載大電流等多種特點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,為產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。

      力士樂(lè)Rexroth,賀德克Hydac,派克Parker,WEBTEC威泰克,阿托斯Atos,

      依博羅EBRO,邁確METRIX,美國(guó)megger 德國(guó)ODE,HEIDENHAIN海德漢

      薩姆森Samson,安沃馳Aventics,本特利Bently,易福門(mén)Ifm,

      仙童Fairchild,阿斯卡Asco電磁閥,倍加福P+F,MOOG伺服閥,

      寶德Burkert,巴魯夫Balluff,皮爾茲Pilz,寶盟Baumer,

      亨士樂(lè)Hengstler,諾冠Norgren,美國(guó)Mac電磁閥,德國(guó)EPRO,

      丹佛斯Danfoss,德國(guó)HBM傳感器,Lenze倫茨,Tiefenbach帝芬羅赫等等 

      熱賣(mài)型號(hào)如下:

      傳感器WK177L115 

      電磁閥VP-01217 IEA07/1RS

      ST5484E-151-04B4-00 

      MX2030-04-000-070-05-05  

      MX2030-03-000-080-05-05 

      MX2030-03-000-090-05-05  

      MX2030-03-000-130-05-05  

      MX2030-04-000-130-05-05 

      MX2030-06-005-030-05-05  

      10008-00-07-05-02   

      電磁閥_WSNF8327B012    

      34B-ABA-GDFA-1KA  

      滑塊R165341420   

      氣控閥\VFA5120-03

      氣控閥\VFA3190-X28

      流量開(kāi)關(guān)\FF-015RMS-125

      流量開(kāi)關(guān)\MF2-020JA-416303

      CH-7302  114 951/115 391  帶觸板

      PRESSTON油缸連接頭3829-180   

      PRESSTON油缸連接頭3829-230    

      3614-065 

      3829-030

      1538-146-H10 

      3614-066

      1537-146-H10 


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